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FS21X475K160EIG 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 19:19:38 查看 閱讀�16

FS21X475K160EIG 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓功� MOSFET。該器件采用 N 溝道增強型技�(shù),主要應(yīng)用于需要高效開�(guān)和高電壓承受能力的場�。其�(shè)計優(yōu)化了導通電阻與開關(guān)性能之間的平�,適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源管理解決方��
  這款芯片具有出色的漏源擊穿電�、低導通電阻以及快速開�(guān)特�,能夠滿足高效率和高可靠性的�(yīng)用需��

參數(shù)

型號:FS21X475K160EIG
  類型:N 溝道 MOSFET
  漏源擊穿電壓 (Vds)�750 V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�16 A
  導通電� (Rds(on))�0.3 Ω
  柵極電荷 (Qg)�75 nC
  功� (Pd)�250 W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-247

特�

FS21X475K160EIG 的主要特性包括以下幾點:
  1. 高耐壓能力:其 750V 的漏源擊穿電壓使其適合用于高壓環(huán)境下的開�(guān)電路�
  2. 低導通電阻:0.3Ω � Rds(on) 能夠有效減少導通損�,提高整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能:通過�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�,具備較低的柵極電荷,從而實�(xiàn)更快的開�(guān)速度�
  4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在 -55°C � +150°C 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種極端�(huán)境�
  5. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達 16A,確保在高負載條件下依然表現(xiàn)�(yōu)異�
  6. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的測試和驗�,符合工�(yè)級應(yīng)用標準�

�(yīng)�

FS21X475K160EIG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
   包括 AC-DC � DC-DC電力傳輸和轉(zhuǎn)換功��
  2. 電機�(qū)動:
   用于控制和調(diào)節(jié)各類電機的速度及方向,如家用電器中的風�、泵��
  3. 逆變器:
   在太陽能�(fā)電系�(tǒng)中作為核心元件之一,將直流電轉(zhuǎn)化為交流電�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備:
   � PLC 控制�、伺服驅(qū)動器�,用于實�(xiàn)精確的電氣控��
  5. 電動車充電站�
   提供大功率輸出的同時保持高效率和可靠��

替代型號

FDP18N75C,
  IRFP260N,
  STW92N75DM2,
  IXTH16N75P2

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