FQU5N15是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關和功率控制應用。該器件采用了先進的制造工藝,能夠在高頻率和高效率的應用場景中表現(xiàn)出色。其小封裝設計使其非常適合空間受限的設計�(huán)��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�5.6A
柵極電荷�24nC
導通電阻:0.35Ω
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝類型:TO-252 (DPAK)
FQU5N15具有較低的導通電�,能夠有效減少功率損耗并提升效率�
該器件支持快速開�,適合高頻應用場合�
其具備較高的雪崩擊穿能量能力,增強了在異常情況下的可靠性�
FQU5N15采用無鉛封裝,符合環(huán)保要求,并且具備良好的熱性能以適應高溫操作環(huán)��
此外,它還具有低輸入電容和低輸出電容,進一步優(yōu)化了開關性能�
FQU5N15廣泛應用于直流電機驅�、開關電�、逆變�、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、電池保護電路以及各類工�(yè)電子設備��
由于其出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,它也常用于汽車電子領域中的負載切換和保護電��
在消費類電子產品�,這款MOSFET可用于充電器、適配器等產�,以提供高效的功率轉��
IRF540N
STP55NF06
FDP55N10