您好，歡迎來到維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)
登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
時(shí)間：2025/5/23 21:49:33
閱讀：13
FQU3N50C 是一款 N 治道硅功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。該器件采用 TO-220 封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特性，能夠在高頻開關(guān)條件下提供高效的性能。
該 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其非常適合需要高效能、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)其封裝形式也便于散熱和安裝。
最大漏源電壓：500V
連續(xù)漏極電流：4.2A
柵源電壓：±20V
導(dǎo)通電阻：1.8Ω（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
總功耗：75W
結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TO-220
FQU3N50C 具有以下主要特性：
1. 高擊穿電壓（500V），適用于高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（1.8Ω 典型值），從而減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)能力，適合高頻電路設(shè)計(jì)。
4. 內(nèi)部采用優(yōu)化的 DMOS 工藝，提升器件的熱穩(wěn)定性和可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
6. 具備較高的雪崩擊穿能量承受能力，增強(qiáng)了在異常條件下的魯棒性。
FQU3N50C 可用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件。
2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
3. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)。
4. LED 驅(qū)動(dòng)器和電子負(fù)載。
5. 各種工業(yè)控制設(shè)備中的功率級(jí)開關(guān)。
6. 電磁閥驅(qū)動(dòng)和繼電器替代方案。
7. 適配器和充電器模塊中的功率轉(zhuǎn)換部分。
IRF540N, K1208, STP36NF06
