FQU2N60CTU 是一� N 治道硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于高頻開關(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用 TO-252 封裝,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及高雪崩能力的特點(diǎn)。它在消�(fèi)類電�、通信�(shè)備和工業(yè)控制�(lǐng)域中廣泛�(yīng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2.7A
�(dǎo)通電阻:1.4Ω
柵極電荷�13nC
總電容:180pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
FQU2N60CTU 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電� (600V),能夠承受較高的反向電壓�
2. 低導(dǎo)通電� (Rds(on) = 1.4Ω),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)速度,柵極電荷僅� 13nC,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常情況下的耐用��
5. 小型� TO-252 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
� MOSFET 器件主要�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的同步整流電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
4. 過壓保護(hù)和負(fù)載切換電路�
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳��
FQD2N60C, IRF640, STP60NF06