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FQT1N60CTF_WS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/30 17:43:21 查看 閱讀�614

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:QFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�11.5 歐姆 @ 100mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�200mA
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�6.2nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �170pF @ 25V
功率 - 最大:2.1W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SOT-223 (3 引線 + 接片), SC-73, TO-261
包裝:帶� (TR)

fqt1n60ctf_ws推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqt1n60ctf_ws參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 歐姆 @ 100mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.2nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds170pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQT1N60CTF_WSTR