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FQPF9N50CT 發(fā)布時間 時間�2023/11/30 17:43:46 查看 閱讀�615

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:QFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�800 毫歐 @ 4.5A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�35nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �1030pF @ 25V
功率 - 最大:44W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引線)
包裝:管�

fqpf9n50ct推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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fqpf9n50ct參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1030pF @ 25V
  • 功率 - 最�44W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220F
  • 包裝管件