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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FQPF9N50

FQPF9N50 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 14:24:59 查看 閱讀�17

FQPF9N50是一種N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  這種MOSFET適合用于多種電力電子�(shè)備中,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、逆變器等。其封裝形式通常為T(mén)O-220,方便散熱設(shè)�(jì)和安裝�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  最大漏極電流:9A
  �(dǎo)通電阻:1.7Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�25nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=80ns,toff=45ns(典型值)
  �(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝�(lèi)型:TO-220

特�

FQPF9N50具備以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,漏源電壓高�(dá)500V,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)用�
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,可以支持高頻工作場(chǎng)景,�(mǎn)足現(xiàn)代電力電子對(duì)效率和小型化的需��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 柵極閾值電壓適�,易于驅(qū)�(dòng)且兼容大多數(shù)邏輯電路�
  6. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,便于在�(shí)際應(yīng)用中�(jìn)行散熱管��

�(yīng)�

FQPF9N50廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流�,實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或其他類(lèi)型的電機(jī),提供精確的速度和方向控��
  3. 逆變器:在光伏逆變器或UPS系統(tǒng)中用作功率開(kāi)�(guān)�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓電路,提供穩(wěn)定的輸出電壓�
  5. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng):利用其快速開(kāi)�(guān)能力和高電流承載能力,驅(qū)�(dòng)各種�(fù)��
  6. 電池管理系統(tǒng):在充電或放電回路中用作保護(hù)�(kāi)�(guān)或功率調(diào)節(jié)元件�

替代型號(hào)

IRF9540N, STP9NK50Z, FQP18N50

fqpf9n50推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • �(xún)�(jià)

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fqpf9n50參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C730 毫歐 @ 2.65A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1450pF @ 25V
  • 功率 - 最�50W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220F
  • 包裝管件