FQPF9N50是一種N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
這種MOSFET適合用于多種電力電子�(shè)備中,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、逆變器等。其封裝形式通常為T(mén)O-220,方便散熱設(shè)�(jì)和安裝�
最大漏源電壓:500V
最大漏極電流:9A
�(dǎo)通電阻:1.7Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�25nC(典型值)
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=80ns,toff=45ns(典型值)
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝�(lèi)型:TO-220
FQPF9N50具備以下主要特性:
1. 高耐壓能力,漏源電壓高�(dá)500V,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)用�
2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,可以支持高頻工作場(chǎng)景,�(mǎn)足現(xiàn)代電力電子對(duì)效率和小型化的需��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
5. 柵極閾值電壓適�,易于驅(qū)�(dòng)且兼容大多數(shù)邏輯電路�
6. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,便于在�(shí)際應(yīng)用中�(jìn)行散熱管��
FQPF9N50廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流�,實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或其他類(lèi)型的電機(jī),提供精確的速度和方向控��
3. 逆變器:在光伏逆變器或UPS系統(tǒng)中用作功率開(kāi)�(guān)�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓電路,提供穩(wěn)定的輸出電壓�
5. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng):利用其快速開(kāi)�(guān)能力和高電流承載能力,驅(qū)�(dòng)各種�(fù)��
6. 電池管理系統(tǒng):在充電或放電回路中用作保護(hù)�(kāi)�(guān)或功率調(diào)節(jié)元件�
IRF9540N, STP9NK50Z, FQP18N50