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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQPF8N60C

FQPF8N60C 發(fā)布時間 時間�2024/8/23 14:15:16 查看 閱讀�318

這些N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管是使用Fairchild專有的平面條紋DMOS技�(shù)生產(chǎn)�。這項先進技�(shù)�(jīng)過特別定�,可最大限度地降低�(dǎo)通電�,提供卓越的開關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈�。這些器件非常適合高效開關(guān)電源、有源功率因�(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器�

特性說�

7.5 A�600 V,RDS(開啟)=1.2Ω(最大)VGS=10 V,ID=3.75 A
  低柵極電荷(28nC型)
  低鉻�12pF型)
  100%雪崩測試

技�(shù)參數(shù)

漏源極電�(Vds)�600 V
  上升時間�60.5 ns
  輸入電容(Ciss)�965pF 25V(Vds)
  額定功率(Max)�48 W
  下降時間�4.5 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�48000 mW

封裝參數(shù)

引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  含鉛標準:Lead Free

fqpf8n60c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqpf8n60c資料 更多>

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fqpf8n60c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 3.75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1255pF @ 25V
  • 功率 - 最�48W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220F
  • 包裝管件