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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQPF6N80

FQPF6N80 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 18:30:01 查看 閱讀�7

FQPF6N80是一種MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件通常用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載切換等應用中�
  FQPF6N80具有較高的電壓耐受能力,能夠承受高�800V的漏源極電壓,同時具備較低的導通電�,可以有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。這種MOSFET適用于需要高電壓和高效能的電路設��

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�6A
  導通電阻:3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
  功耗:9.6W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高電壓耐受能力,適合高壓應用場��
  2. 較低的導通電阻,有助于減少導通損��
  3. 快速開關速度,可實現(xiàn)高頻操作�
  4. �(wěn)定的工作性能,適應寬泛的溫度范圍�
  5. 小封裝尺�,便于在緊湊設計中使用�
  6. 具備良好的電氣特性和可靠�,適用于工業(yè)和汽車領��

應用

FQPF6N80廣泛應用于各種高電壓場景下的功率控制和管理,包括但不限于以下方面�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或開關元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換開關�
  5. 工業(yè)設備中的高壓信號隔離與傳��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高電壓應�,如電動車充電系�(tǒng)和車載逆變器�

替代型號

IRF840, STP6NK60Z, FDPF6N80

fqpf6n80推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqpf6n80資料 更多>

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  • 描述
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fqpf6n80參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.95 歐姆 @ 1.65A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
  • 功率 - 最�51W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應商設備封�TO-220F
  • 包裝管件