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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FQPF4N50

FQPF4N50 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 10:02:49 查看 閱讀�23

FQPF4N50是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件主要應用于開關電�、DC-DC轉換器、電機驅動以及逆變器等場景�。其高耐壓特性(500V)使其非常適合高壓應用場合,同時具備低導通電阻和良好的開關性能�

參數

最大漏源電壓:500V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  脈沖漏極電流�12A
  導通電阻(典型值)�2.8Ω
  柵極電荷�17nC
  輸入電容�650pF
  總耗散功率(Tc=25℃)�115W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高擊穿電�,能夠承受高�500V的漏源電��
  2. 低導通電阻,有助于減少導通損耗并提高效率�
  3. 快速開關速度,適合高頻應用環(huán)��
  4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在寬溫范圍內可靠運行�
  5. 具備較高的電流承載能�,適用于多種功率應用場景�
  6. TO-220封裝提供良好的散熱性能,便于系�(tǒng)集成�

應用

1. 開關電源設計中的功率開關�
  2. DC-DC轉換器中的主開關管或同步整流管�
  3. 電機驅動電路中的功率控制元件�
  4. 逆變器及太陽能發(fā)電系�(tǒng)中的功率調節(jié)模塊�
  5. 各類工業(yè)控制設備中的高壓功率切換組件�

替代型號

IRF540N
  STP55NF06
  FQP17N50

fqpf4n50推薦供應� 更多>

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fqpf4n50資料 更多>

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fqpf4n50參數

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 歐姆 @ 1.15A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds460pF @ 25V
  • 功率 - 最�35W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應商設備封�TO-220F
  • 包裝管件