FQPF12N60C是一種基于硅(Si)技術的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)公司旗下的功率MOSFET�(chǎn)品系列。該器件采用N溝道增強型設�,適用于高頻開關和功率轉換應�。其高擊穿電壓(600V�、低導通電阻和�(yōu)異的開關特�,使其成為工�(yè)、汽車以及消費類電子領域中的理想選擇�
該器件通常用于電源管理電路、電機驅動、DC-DC轉換器和逆變器等場景�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�13.6A
導通電阻(Rds(on)):250mΩ(典型值,當Vgs=10V時)
柵極電荷�47nC(典型值)
輸入電容�1980pF(典型值)
功耗:435W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQPF12N60C具有以下顯著特性:
1. 高電壓耐受能力,支持高�600V的工作電�,適合高壓環(huán)境下的應��
2. 低導通電�,在大電流條件下可以有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能,能夠適應高頻開關應用需�,減少開關損��
4. �(yōu)化的熱性能,能夠在較高的結溫下�(wěn)定運行�
5. 提供多種封裝選項以滿足不同的安裝需�,例如TO-247或DPAK等封裝形��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
這些特性使得該器件在要求高效能、高可靠性的應用中表�(xiàn)卓越�
FQPF12N60C廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS):
- AC-DC轉換�
- DC-DC轉換�
2. 電機控制�
- 無刷直流電機驅動
- 步進電機驅�
3. 工業(yè)設備�
- 逆變�
- 焊接設備
4. 汽車電子�
- 車載充電�
- �(fā)電機�(diào)節(jié)�
此外,該器件還常用于各種需要高效功率切換的應用場景�
IRFP460,
FQP17N60,
STP17NF60,
IXFN60N15T2