時間：2025/5/21 13:03:24
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FQP9N25C是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器和負載切換等應(yīng)用中，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特性，能夠顯著提高效率并降低功率損耗。
該型號屬于邏輯電平驅(qū)動系列，這意味著其柵極閾值電壓較低，適合直接由微控制器或邏輯電路驅(qū)動，無需額外的驅(qū)動級。
最大漏源電壓(VDS)：30V
最大柵源電壓(VGS)：±20V
連續(xù)漏極電流(ID)：17A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：25mΩ
柵極電荷(Qg)：42nC
開關(guān)時間：典型值ton=16ns，toff=18ns
工作溫度范圍：-55°C至+150°C
FQP9N25C采用先進的制造工藝設(shè)計，具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)，在10V的VGS條件下僅為25mΩ，能夠有效減少導(dǎo)通損耗。
2. 快速開關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用，柵極電荷Qg僅為42nC。
3. 低閾值電壓，支持邏輯電平驅(qū)動，使得其非常適合與數(shù)字控制電路配合使用。
4. 高電流處理能力，連續(xù)漏極電流高達17A。
5. 小型封裝選項（如TO-220和DPAK），便于散熱設(shè)計和PCB布局優(yōu)化。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且可靠性高。
FQP9N25C適用于多種電力電子應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動電路，用于控制直流無刷電機(BLDC)或其他類型電機。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓模塊。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電磁閥和繼電器驅(qū)動。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和信號調(diào)節(jié)。
7. 逆變器和不間斷電源(UPS)中的功率輸出級。
IRFZ44N
STP17NF50
AO3400
FDP17N25C
