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FQP7N65C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 14:10:13 查看 閱讀�20

FQP7N65C 是一� N 灃道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),屬于 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)公司生�(chǎn)的功� MOSFET 系列。該器件采用 TO-220 封裝,適用于高電壓和高電流的�(yīng)用場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和 DC-DC �(zhuǎn)換器�。這款 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  FQP7N65C 的最大漏源極電壓� 650V,適合在高壓�(huán)境中工作,并且具有較高的雪崩擊穿能力,能夠承受短�(shí)間的過壓或過流沖擊�

參數(shù)

最大漏源極電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�10.8A
  柵極電荷�45nC
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3Ω
  總功耗:175W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C

特�

1. 高電壓能力:FQP7N65C 的漏源極耐壓高達(dá) 650V,非常適合應(yīng)用于高壓電路�(huán)境�
  2. 快速開�(guān)性能:其低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)使得開關(guān)速度更快,有助于減少開關(guān)損耗�
  3. 高雪崩能量能力:具備�(qiáng)大的雪崩擊穿能力,可承受瞬時(shí)過壓情況下的�(yīng)��
  4. �(wěn)定性:即使在極端溫度范圍內(nèi)也能保持�(wěn)定的電氣性能�
  5. �(yīng)用靈活性:由于其高性能指標(biāo),這款 MOSFET 可廣泛用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用中�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS):
  FQP7N65C 常用于開�(guān)電源的主開關(guān)管,能夠高效地處理高電壓輸入并提供穩(wěn)定的輸出�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  可用于驅(qū)�(dòng)直流無刷電機(jī)或步�(jìn)電機(jī),支持高電壓操作并提供精確的電流控制�
  3. 逆變器:
  在光伏逆變器和其他類型的逆變器中作為功率開關(guān)使用,實(shí)�(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)��
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器�
  在汽車電子和工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換模塊中�(fā)揮重要作用,確保�(wěn)定高效的電壓�(diào)節(jié)功能�

替代型號(hào)

FQP7P65C, IRFP260N, STP75NF06L

fqp7n65c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqp7n65c資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fqp7n65c參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 3.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1245pF @ 25V
  • 功率 - 最�160W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件