日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQP6N80C

FQP6N80C 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 4:35:24 查看 閱讀:15

FQP6N80C 是一款 N 灃道通 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為 ON Semiconductor)生產(chǎn)。該器件廣泛應(yīng)用于需要高效功率切換的場合,例如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其設(shè)計(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高雪崩能力和快速開關(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用。

參數(shù)

型號(hào):FQP6N80C
  類型:N 沭道通 MOSFET
  封裝:TO-220
  VDS(漏源極電壓):80V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):75mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):16A
  f(工作頻率):高達(dá) 500kHz
  柵極電荷:38nC
  功耗:120W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

FQP6N80C 的主要特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和高效率,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。
  它具有較高的漏源極電壓 (80V),適用于中等電壓的應(yīng)用場景。
  其快速開關(guān)性能使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效降低開關(guān)損耗。
  此外,該器件具備良好的熱穩(wěn)定性和高雪崩能力,能夠在惡劣條件下提供可靠的保護(hù)。
  FQP6N80C 的 TO-220 封裝形式便于散熱管理,并且易于安裝在各種電路板上。

應(yīng)用

FQP6N80C 常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  4. 逆變器
  5. 電池充電器
  6. 工業(yè)控制設(shè)備
  由于其出色的性能,這款 MOSFET 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和低熱量生成的場合尤為適用。

替代型號(hào)

FQP16N80C
  IRF840
  STP16NF80
  FDP16N80E

fqp6n80c推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqp6n80c資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fqp6n80c參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 歐姆 @ 2.75A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1310pF @ 25V
  • 功率 - 最大158W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220
  • 包裝管件