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FQP65N06 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 23:01:52 查看 閱讀：5

FQP65N06是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用TO-220封裝形式，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為需要高效能功率管理設(shè)計(jì)的理想選擇。
　　FQP65N06的漏源極電壓（Vds）為60V，連續(xù)漏極電流（Id）為14A，且具有較低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，從而可以減少功耗并提升系統(tǒng)效率。此外，它還具備快速開關(guān)特性，能夠適應(yīng)高頻工作環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：14A
　　脈沖漏極電流(Ip)：35A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.18Ω（在Vgs=10V時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：77W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃至+150℃
　　柵極電荷(Qg)：29nC
　　輸入電容(Ciss)：1750pF
　　輸出電容(Coss)：560pF

特性

1. 高電流承載能力：支持高達(dá)14A的連續(xù)漏極電流。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：Rds(on)典型值為0.18Ω，可有效降低導(dǎo)通損耗。
　　3. 快速開關(guān)速度：低柵極電荷和輸出電容確保了高效的開關(guān)性能。
　　4. 寬電壓范圍：60V的漏源極電壓使其適用于多種電源應(yīng)用場(chǎng)景。
　　5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：能夠在-55℃到+150℃的結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
　　6. 小尺寸封裝：采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝，便于散熱設(shè)計(jì)與安裝。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路中的主開關(guān)元件。
　　3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制器件。
　　4. 負(fù)載開關(guān)及保護(hù)電路中的電子開關(guān)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載控制和保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)。

替代型號(hào)

IRF650N
　　STP65NF06
　　IXYS IXFN60N140T2

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fqp65n06參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C65A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫歐 @ 32.5A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2410pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220
  • 包裝管件
  • 其它名稱FQP65N06-NDFQP65N06FS