FQP50N06是一款N溝道功率MOSFET,由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用TO-220封裝形式,適用于多種開關和功率轉(zhuǎn)換應用。它具有低導通電阻和高電流處理能�,能夠在高頻條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
該型號的額定電壓�60V,能夠承受較高的漏源電壓,同時其連續(xù)漏極電流可達50A(在特定�(jié)溫和條件下)。這使得FQP50N06非常適合用于工業(yè)、消費類電子及汽車領域的各種應用場景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
柵源電壓:�20V
導通電阻:45mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:165W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-220
FQP50N06具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提高效率�
2. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
3. 快速開關速度,適合高頻應用環(huán)��
4. 熱穩(wěn)定性強,能在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持性能一致��
5. 符合RoHS標準,滿足環(huán)保要��
6. 具有�(yōu)異的熱性能表現(xiàn),有助于簡化散熱設計�
FQP50N06因其高效能表�(xiàn)和可靠�,被廣泛應用于各類需要大電流、高壓操作的場景��
FQP50N06的應用領域非常廣�,主要包括以下方面:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. 直流電機�(qū)動控��
3. 汽車電子設備中的負載切換�
4. 電池保護電路�
5. 逆變器與UPS系統(tǒng)�
6. 各種工業(yè)自動化控制中的功率管��
由于其出色的電氣特性和物理耐受能力,F(xiàn)QP50N06成為許多高性能需求場合的理想選擇�
IRFZ44N
STP50NF06
FDP50N06L