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FQP4N90C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/18 14:07:21 查看 閱讀�552

FQP4N90C是一種高性能的功率MOSFET晶體管,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度。它采用了先�(jìn)的N溝道MOSFET技�(shù),具有較低的開關(guān)損耗和高效的功率轉(zhuǎn)換能�。該器件可應(yīng)用于各種功率電子�(shè)備,如電源管�、電�(dòng)工具、電�(dòng)汽車和工�(yè)自動(dòng)化等�(lǐng)��
  FQP4N90C是一種N溝道MOSFET晶體�,其工作原理基于�(chǎng)效應(yīng)管的原理。它由一�(gè)N型溝道和兩�(gè)P型控制區(qū)域組�。當(dāng)控制電壓施加在控制區(qū)域時(shí),溝道區(qū)域中的電荷會(huì)�(fā)生變�,從而調(diào)節(jié)了溝道的電阻。這樣,通過控制電壓的變�,可以實(shí)�(xiàn)�(duì)器件的導(dǎo)通和截止控制�
  在導(dǎo)通狀�(tài)�,當(dāng)控制電壓施加在控制區(qū)域時(shí),電子會(huì)從源極�(jìn)入溝�,然后流向漏�,形成電流通路。此�(shí),溝道的電阻很低,功率損耗較�。而在截止?fàn)顟B(tài)�,控制電壓未施加或施加較低的電壓,溝道中沒有電荷通路,電流無法流�。因�,該器件具有非常低的�(dǎo)通電阻和高的截止電阻�

基本�(jié)�(gòu)

1、硅襯底:作為整�(gè)器件的基�(chǔ),提供支撐和電流傳導(dǎo)功能�
  2、溝道區(qū):位于硅襯底�,是電流流動(dòng)的通道。它的電�(dǎo)率通過柵電壓控��
  3、柵氧化層:位于溝道區(qū)上方,用于隔離柵電極和溝道區(qū)�
  4、柵電極:位于柵氧化層上�,通過改變柵電壓來控制溝道區(qū)的電�(dǎo)��
  5、源極和漏極:位于溝道區(qū)的兩�(cè),用于提供電流的輸入和輸��

工作原理

FQP4N90C是一種增�(qiáng)型N溝道MOSFET。當(dāng)施加正向電壓到基極與源極之間�(shí),電子會(huì)從源極注入到溝道�,形成導(dǎo)電通道,使電流可以通過。而當(dāng)施加�(fù)向電壓時(shí),電子不再注入溝道,�(dǎo)電通道�(guān)�,電流無法通過�

參數(shù)

額定電流�4A
  額定電壓�900V
  低導(dǎo)通電阻:.8Ω
  最大功耗:180W
  封裝:TO-220

特點(diǎn)

1、高電流和高電壓能力:FQP4N90C具有較高的額定電流和電壓,能夠處理大功率�(yīng)��
  2、低�(dǎo)通電阻:它具有較低的�(dǎo)通電�,能夠減少功率損耗和熱量�(chǎn)生�
  3、快速開�(guān)速度:FQP4N90C具有較快的開�(guān)速度,使其適用于高頻率應(yīng)用�
  4、低輸入和輸出電容:它具有較低的輸入和輸出電�,有利于減小開關(guān)過程中的電荷傳輸�(shí)間�

�(yīng)�

1、電源系�(tǒng):它可以用于交流-直流電源�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源和逆變器等�
  2、電�(jī)�(qū)�(dòng):FQP4N90C可以用于控制電機(jī)的驅(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)和直流電�(jī)�
  3、照明系�(tǒng):它可以用于高壓氣體放電燈和LED�(qū)�(dòng)電路等應(yīng)用�

如何使用

1、了解器件參�(shù):在使用FQP4N90C之前,建議先仔細(xì)閱讀器件的數(shù)�(jù)手冊(cè)。了解其特性參�(shù),如最大耐壓、最大漏電流、導(dǎo)通電阻等。這些參數(shù)將決定器件在具體�(yīng)用中的適用性�
  2、正確的電路連接:FQP4N90C有三�(gè)引腳,分別是源極(S), 柵極(G)和漏�(D)。在使用�(shí),應(yīng)正確連接這些引腳。通常,源極連接到負(fù)�,漏極連接到負(fù)�,而柵極則連接到驅(qū)�(dòng)電路�
  3、驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì):為了確保FQP4N90C能夠正常工作,需要設(shè)�(jì)合適的驅(qū)�(dòng)電路。MOSFET需要一定的柵極�(qū)�(dòng)電壓和電流來控制�(dǎo)通和截止。通常,可以使用MOSFET�(qū)�(dòng)器或者直接使用晶體管來實(shí)�(xiàn)�(qū)�(dòng)�
  4、溫度控制:FQP4N90C在工作過程中�(huì)�(chǎn)生一定的熱量。為了確保器件的可靠性和壽命,建議在�(shè)�(jì)中考慮合適的散熱措�??梢允褂蒙�?、風(fēng)扇或者其他散熱設(shè)備來保持器件溫度在安全范圍內(nèi)�
  5、過電流和過壓保�(hù):為了避免FQP4N90C受到過電流和過壓等損壞,建議在電路中添加適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施。可以使用保�(xiǎn)�、過電流保護(hù)電路和過壓保�(hù)電路等來保護(hù)器件�
  6、合適的工作條件:FQP4N90C的性能和壽命會(huì)受到工作條件的影�。確保器件工作在合適的電�、電壓和溫度范圍�(nèi),以提供最佳的性能和可靠��
  7、測(cè)試和�(yàn)證:在使用FQP4N90C之前,建議�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)�。通過�(cè)量器件的參數(shù),如�(dǎo)通電�、靜�(tài)漏源極電流等,驗(yàn)證器件是否符合數(shù)�(jù)手冊(cè)中的�(guī)格要��
  在使用FQP4N90C�(shí),建議先了解器件的參�(shù)和特�,并根據(jù)具體�(yīng)用設(shè)�(jì)合適的電路連接和驅(qū)�(dòng)電路。同�(shí),考慮散熱、過電流和過壓保�(hù)等措�,以確保器件在安全范圍內(nèi)工作。最�,�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)�,確保器件的性能符合要求�

安裝要點(diǎn)

安裝FQP4N90C功率晶體管時(shí),需要注意以下要�(diǎn)�
  1、器件的防靜電保�(hù):在處理FQP4N90C之前,確保自己處于接地狀�(tài),以避免靜電放電�(duì)器件造成損害。同�(shí),可以使用防靜電手套或工作臺(tái)墊來�(jìn)一步保�(hù)器件�
  2、PCB�(shè)�(jì):在�(shè)�(jì)電路板時(shí),需要根�(jù)器件的封裝類型選擇合適的封裝形式,并確保器件的引腳布局與PCB上的焊盤相匹�。確保焊盤尺寸和間距符合要求,以便正確焊接器��
  3、焊接方法:使用適當(dāng)?shù)暮附臃椒▽QP4N90C焊接到電路板�。常見的焊接方法有手工焊接和波峰焊接。根�(jù)�(shí)際情況選擇合適的焊接方法,并確保焊接�(zhì)量良好,避免焊接過熱或焊接不足導(dǎo)致焊�(diǎn)不可��
  4、散熱措施:FQP4N90C在工作過程中�(huì)�(chǎn)生一定的熱量,因此需要考慮散熱措施。在安裝過程�,可以使用散熱片或散熱膠墊來提高器件的散熱能�,確保器件溫度處于安全范圍內(nèi)�
  5、過電流和過壓保�(hù):在電路�(shè)�(jì)�,考慮添加過電流保�(hù)電路和過壓保�(hù)電路,以保護(hù)FQP4N90C免受過電流和過壓的損�。這些保護(hù)電路可以防止器件受到過載或故障電壓的影響�
  6、環(huán)境條件:在安裝FQP4N90C�(shí),確保環(huán)境條件符合器件的工作要求。避免器件安裝在過熱、高濕度或有腐蝕性氣體的�(huán)境中�
  7、測(cè)試和�(yàn)證:在安裝完成后,�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)證以確保FQP4N90C的正常工�??梢允褂煤线m的測(cè)試儀器測(cè)量器件的參數(shù)和性能,如�(dǎo)通電�、漏源極電流等�
  在安裝FQP4N90C功率晶體管時(shí),要注意防靜電保�(hù)、合適的焊接方法、散熱措施和過流、過壓保�(hù)�。確保電路板�(shè)�(jì)合理,并在安裝過程中遵循正確的操作步�。最后,�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)證以確保器件正常工作�

fqp4n90c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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  • 型號(hào)
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fqp4n90c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 歐姆 @ 2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds960pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件