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FQP1N50 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 18:07:04 查看 閱讀�28

FQP1N50是一款N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適合高頻�(yīng)��

參數(shù)

型號:FQP1N50
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):500V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�1.8Ω(在VGS=10V時)
  ID(連續(xù)漏極電流):1.1A
  fmax(最大工作頻率)�3MHz
  封裝形式:TO-220
  功耗:11W

特�

FQP1N50的主要特性包括高耐壓能力�500V)、較低的�(dǎo)通電阻以及良好的熱性能�
  FQP1N50的低�(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,從而提高了效率。同�,其快速開�(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  此外,TO-220封裝提供了較好的散熱性能,能夠承受一定的功率損��
  該器件還具有較高的雪崩擊穿能量能�,增強了其在異常情況下的可靠��

�(yīng)�

FQP1N50常用于多種電力電子領(lǐng)域,如開�(guān)電源中的功率�(zhuǎn)換級、逆變器電�、負(fù)載開�(guān)、繼電器�(qū)動以及電機控制等�
  在開�(guān)電源中,F(xiàn)QP1N50可以作為主開�(guān)管使�,在高頻條件下實�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  此外,它也可以用于保�(hù)電路中,例如過流保護(hù)或短路保�(hù)開關(guān)�

替代型號

IRF7414
  STP1NK50Z
  IXTH10N50P

fqp1n50推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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fqp1n50�(chǎn)�

fqp1n50參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 歐姆 @ 700mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds150pF @ 25V
  • 功率 - 最�40W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件