FQP1N50是一款N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適合高頻�(yīng)��
型號:FQP1N50
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):500V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�1.8Ω(在VGS=10V時)
ID(連續(xù)漏極電流):1.1A
fmax(最大工作頻率)�3MHz
封裝形式:TO-220
功耗:11W
FQP1N50的主要特性包括高耐壓能力�500V)、較低的�(dǎo)通電阻以及良好的熱性能�
FQP1N50的低�(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,從而提高了效率。同�,其快速開�(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
此外,TO-220封裝提供了較好的散熱性能,能夠承受一定的功率損��
該器件還具有較高的雪崩擊穿能量能�,增強了其在異常情況下的可靠��
FQP1N50常用于多種電力電子領(lǐng)域,如開�(guān)電源中的功率�(zhuǎn)換級、逆變器電�、負(fù)載開�(guān)、繼電器�(qū)動以及電機控制等�
在開�(guān)電源中,F(xiàn)QP1N50可以作為主開�(guān)管使�,在高頻條件下實�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
此外,它也可以用于保�(hù)電路中,例如過流保護(hù)或短路保�(hù)開關(guān)�
IRF7414
STP1NK50Z
IXTH10N50P