FQP18N20V2 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,屬� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)推出的 FQ 系列 MOSFET。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)�
其設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效的功率�(zhuǎn)換解決方�,并且能夠承受較高的電壓,同�(shí)保持較低的功��
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�18A
柵極電荷�55nC
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
總耗散功率�190W
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 高電壓耐受能力,最大漏源電壓達(dá)� 200V,適用于高壓�(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅� 0.18Ω,從而顯著降低導(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)性能,具有較小的柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗�
4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定�,可在高�(dá) +175� 的結(jié)溫下可靠�(yùn)��
5. 提供 TO-220 封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì)和系�(tǒng)集成�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝制��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的高頻開�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)器件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路中的電子開關(guān)�
5. 工業(yè)控制�(lǐng)域中用于高效率功率管理的�(chǎng)��
6. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
FQP18N20,
IRF18N20,
FDP18N20,
STP18NF20