FQD8P10是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等場�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功耗�
這款MOSFET采用TO-252封裝形式,具備出色的散熱性能,適用于中等功率的電子設(shè)備設(shè)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:10mΩ
總柵極電荷:35nC
開關(guān)速度:典型�40ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
FQD8P10具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流�(yīng)用中可減少功率損��
2. 快速的開關(guān)速度使其非常適合高頻電路�(shè)��
3. 高擊穿電壓確保了器件在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定��
4. 小巧的TO-252封裝方便布局,并提供良好的熱管理能力�
5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種極端工況需��
FQD8P10主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流管�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護開�(guān)�
4. 各類電機�(qū)動電路中的功率級元件�
5. 負載開關(guān)及過流保護電路中的核心組件�
6. 其他需要高效功率控制的�(yīng)用場��
FQP8N10,FDS8948,IRF840