時間：2025/5/30 15:26:28
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FQD7N20LTM 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管（MOSFET），廣泛應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等領域。該器件采用 TO-220 封裝，具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點，能夠在高頻應用中提供高效性能。
此 MOSFET 的設計使其適用于需要高效率和良好熱管理的場景，同時具備快速開關速度和較低的柵極電荷特性。
型號：FQD7N20LTM
封裝：TO-220
Vds（漏源電壓）：200V
Rds(on)（導通電阻）：0.45Ω
Id（連續(xù)漏極電流）：7A
Ptot（總功耗）：63W
fT（特征頻率）：3.8MHz
Qg（柵極電荷）：13nC
Vgs(th)（柵源開啟電壓）：2V~4V
Tj（結溫范圍）：-55℃~150℃
FQD7N20LTM 具備以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，最大漏源電壓為 200V，適合高壓應用環(huán)境。
2. 導通電阻低至 0.45Ω，有效減少導通損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關速度得益于較低的柵極電荷量（13nC），能夠降低開關損耗。
4. 結溫范圍寬廣，從 -55℃ 到 +150℃，確保在極端溫度條件下仍能穩(wěn)定工作。
5. 采用標準 TO-220 封裝，便于安裝和散熱設計。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
FQD7N20LTM 主要應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的功率轉換部分。
2. 電機驅動電路，用于控制直流或無刷電機。
3. 各種 DC-DC 轉換器，如降壓、升壓和反激式變換器。
4. 電池保護系統(tǒng)，實現(xiàn)過流和短路保護功能。
5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換控制。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方案。
FQP12N20, IRFZ44N, STP7NF20
