FQD6N60是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),采用N溝道增強型設計。該器件主要應用于開關電�、DC-DC轉換�、逆變器和電機驅動等場�,其高耐壓特性使得它適合于高壓環(huán)境下的功率控制應��
這款MOSFET具有低導通電�、快速開關速度以及良好的熱�(wěn)定性等�(yōu)點,從而提升了系統(tǒng)的效率和可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�6A
導通電阻:3.2Ω(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷�45nC(典型值)
開關時間:ton=87ns,toff=39ns(典型值)
工作結溫范圍�-55℃至+150�
FQD6N60具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達600V的漏源電�,適用于多種高壓應用場景�
2. 低導通電阻:在Vgs�10V�,其導通電阻僅�3.2Ω,有助于降低功率損��
3. 快速開關性能:極小的開關時間和柵極電�,可以有效減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定的電氣性能�
5. 小尺寸封裝:通常采用TO-220或DPAK封裝形式,便于散熱和安裝�
FQD6N60廣泛用于需要高壓和高效能的電力電子領域,包括但不限于以下應用:
1. 開關電源(SMPS):作為主開關管實現(xiàn)高效的能量轉��
2. DC-DC轉換器:用于升壓、降壓或反激式變換電路中�
3. 逆變器:用于將直流電轉換為交流電的場景�
4. 電機驅動:適用于各類電機的啟動和調速控��
5. 其他高壓負載切換場合:例如工�(yè)自動化設備中的負載開關或保護電路�
IRF640N
STP6NK60Z
FDP6N60
IXFN60N120T
K1006N60