FQD6N50C是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(yīng)�。該器件采用TO-220封裝,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款MOSFET主要由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn),廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子和通信�(shè)備中�
最大漏源電壓:500V
最大連續(xù)漏極電流�6A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗:115W
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
柵極電荷�25nC(典型值)
輸入電容�870pF(典型值)
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=90ns,toff=48ns(典型值)
FQD6N50C具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓為500V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 快速開(kāi)�(guān)性能:極低的�(kāi)�(guān)�(shí)間和柵極電荷,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V�(shí),導(dǎo)通電阻僅�1.3Ω,降低了�(dǎo)通損��
4. 高可靠性:具備雪崩擊穿能力和較�(qiáng)的抗靜電能力�
5. 熱穩(wěn)定性:能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)工作,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
6. 封裝形式:采用標(biāo)�(zhǔn)的TO-220封裝,易于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
FQD6N50C適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源:作為主�(kāi)�(guān)管,用于AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)��
3. 逆變器:用于光伏逆變器和UPS不間斷電源中的功率變換�
4. 電池充電器:�(shí)�(xiàn)高效充電管理�
5. 工業(yè)自動(dòng)化:如可編程邏輯控制器(PLC)和伺服�(qū)�(dòng)器中的功率控制�
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:例如電視�(jī)、顯示器和音響設(shè)備中的電源管理模��
IRF650N
FQP13N50
STP12NK50Z