FQD2N90是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,主要應(yīng)用于高電壓和大電流場�。該器件采用TO-220封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)動以及各類開�(guān)�(yīng)�。其額定耐壓�900V,適用于需要較高擊穿電壓的場合�
最大漏源電壓:900V
最大連續(xù)漏極電流�2A
柵極閾值電壓:3V~6V
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5Ω
總功耗:115W
�(jié)溫范圍:-55℃~175�
FQD2N90具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)900V的漏源電壓,適合高壓電路�(shè)��
2. 較低的導(dǎo)通電�,在額定條件下可以降低功率損��
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻工作場景,減少開關(guān)損��
4. TO-220封裝提供良好的散熱性能,適用于功率�(yīng)��
5. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
FQD2N90廣泛用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. 逆變器及�(zhuǎn)換器中的主控開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動器中的功率級控制�
4. 工業(yè)�(shè)備中的電磁閥�(qū)動與繼電器控��
5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)動電路�
IRF840
FQP2N90
STP2N90K5