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FQD2N60CTM 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:47:12 查看 閱讀�32

FQD2N60CTM是一款N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,適合在各種電源管理電路中使��

參數(shù)

型號:FQD2N60CTM
  類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:TO-252
  最大漏源電壓:600V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�1.07A
  �(dǎo)通電阻:450Ω
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQD2N60CTM的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:600V,能夠承受高壓環(huán)境下的應(yīng)用需��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻為450Ω,有助于減少功率損��
  3. 快速開�(guān)性能:具有較低的輸入電容和輸出電�,能�?qū)崿F(xiàn)高頻開關(guān)操作�
  4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行,適合工業(yè)級和汽車級應(yīng)��
  5. 小型封裝�(shè)計:采用TO-252封裝,節(jié)省空間,便于表面貼裝工藝�

�(yīng)�

FQD2N60CTM廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開�(guān)元件�
  2. 電機�(qū)動器中的功率控制單元�
  3. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動電��
  4. 各種電池充電器和適配器中的功率管理模塊�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率放大電路�

替代型號

FQD2N60C, IRF840, STP12NF06

fqd2n60ctm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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fqd2n60ctm資料 更多>

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fqd2n60ctm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.7 歐姆 @ 950mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds235pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQD2N60CTM-NDFQD2N60CTMTR