FQD2N60CTM是一款N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,適合在各種電源管理電路中使��
型號:FQD2N60CTM
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-252
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�1.07A
�(dǎo)通電阻:450Ω
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQD2N60CTM的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:600V,能夠承受高壓環(huán)境下的應(yīng)用需��
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻為450Ω,有助于減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能:具有較低的輸入電容和輸出電�,能�?qū)崿F(xiàn)高頻開關(guān)操作�
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行,適合工業(yè)級和汽車級應(yīng)��
5. 小型封裝�(shè)計:采用TO-252封裝,節(jié)省空間,便于表面貼裝工藝�
FQD2N60CTM廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開�(guān)元件�
2. 電機�(qū)動器中的功率控制單元�
3. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動電��
4. 各種電池充電器和適配器中的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率放大電路�
FQD2N60C, IRF840, STP12NF06