FQD2N100 是一� N 灃道半導(dǎo)體公司生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TO-247 封裝,適用于高電壓和高電流的�(yīng)用場(chǎng)景。其主要用途是在電力電子設(shè)備中作為開關(guān)或放大器元件。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠滿足工�(yè)、汽車以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的多種需��
FQD2N100 的設(shè)�(jì)使得它在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:1000V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:8A
�(dǎo)通電阻:1.8Ω
功耗:150W
工作溫度范圍�-55� � 175�
FQD2N100 具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(1000V�,使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻(1.8Ω�,從而減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)速度,確保在高頻條件下性能�(yōu)��
4. �(wěn)定的�(dòng)�(tài)特性,即使在極端溫度范圍內(nèi)也能保持可靠�(yùn)��
5. 良好的抗雪崩能力,可以承受短暫的過載情況�
6. TO-247 封裝形式,提供優(yōu)秀的散熱性能�
FQD2N100 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(guān)鍵元件�
3. 工業(yè)控制�(shè)備中的高壓開�(guān)�
4. 新能源系�(tǒng)如太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. 汽車電子中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
6. 各種需要高壓大電流處理能力的場(chǎng)合�
IRFP460, STGW10N60DF2, FDP12N100