FQD1N60C是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其耐壓能力高達(dá)600V,適合高壓環(huán)境下的電路設(shè)�(jì)。FQD1N60C通常用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器和其他需要高效功率控制的場合�
這款MOSFET采用了TO-252封裝形式,具有良好的散熱性能,能夠滿足緊湊型�(shè)�(jì)需求。同�,由于其出色的電氣特性,能夠在高頻條件下�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.8Ω(典型�,@ Vgs=10V�
總功耗:1.3W
�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
1. 高擊穿電壓:600V,適合高壓應(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V時為4.8Ω,有助于降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化了開關(guān)性能,減少開�(guān)損��
4. 小型封裝:采用TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定工作�
6. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-55°C�+150°C的結(jié)溫范�,適�(yīng)多種工作條件�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的電子開�(guān)�
3. 逆變器和DC-DC�(zhuǎn)換器中的�(guān)鍵元��
4. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. LED照明�(qū)動中的功率控��
6. 其他需要高性能功率管理的電子設(shè)備中�
IRF640N, FQP17N60, STP12NF60