這種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET是使用飛兆半�(dǎo)體專有的平面條紋和DMOS技�(shù)生產(chǎn)�。這種先�(jìn)的MOSFET技�(shù)�(jīng)�(guò)特別定制,可降低�(dǎo)通電�,并提供卓越的開�(guān)性能和高雪崩能量�(qiáng)度。這些�(shè)備適用于開關(guān)電源、音頻放大器、直流電�(jī)控制和可變開�(guān)電源�(yīng)��
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.074Ω
耗散功率�2.5 W
閾值電壓:2 V
漏源極電�(Vds)�100 V
上升�(shí)間:410 ns
輸入電容(Ciss)�670pF 25V(Vds)
額定功率(Max)�2.5 W
下降�(shí)間:140 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�2.5 W
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:TO-252-3
�(zhǎng)度:6.6 mm
寬度�6.1 mm
高度�2.3 mm
封裝:TO-252-3
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:ape&Reel(TR)
制造應(yīng)用:音頻,電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�,電源管理