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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FQD19N10LTM

FQD19N10LTM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/22 14:52:06 查看 閱讀�228

這種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET是使用飛兆半�(dǎo)體專有的平面條紋和DMOS技�(shù)生產(chǎn)�。這種先�(jìn)的MOSFET技�(shù)�(jīng)�(guò)特別定制,可降低�(dǎo)通電�,并提供卓越的開�(guān)性能和高雪崩能量�(qiáng)度。這些�(shè)備適用于開關(guān)電源、音頻放大器、直流電�(jī)控制和可變開�(guān)電源�(yīng)��

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.074Ω
  耗散功率�2.5 W
  閾值電壓:2 V
  漏源極電�(Vds)�100 V
  上升�(shí)間:410 ns
  輸入電容(Ciss)�670pF 25V(Vds)
  額定功率(Max)�2.5 W
  下降�(shí)間:140 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�2.5 W

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-252-3

外形尺寸

�(zhǎng)度:6.6 mm
  寬度�6.1 mm
  高度�2.3 mm
  封裝:TO-252-3

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:ape&Reel(TR)
  制造應(yīng)用:音頻,電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�,電源管理

fqd19n10ltm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqd19n10ltm資料 更多>

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fqd19n10ltm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 7.8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQD19N10LTM-NDFQD19N10LTMTR