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時(shí)間：2025/5/21 12:05:45
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FQD13N10LTM 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性，適合用于多種高效能電源管理應(yīng)用中。其封裝形式通常為表面貼裝類型，能夠滿足小型化和高性能的設(shè)計(jì)需求。
這款 MOSFET 的額定電壓為 100V，廣泛適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓(Vds)：100V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
持續(xù)漏極電流(Id)：13A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
柵極電荷(Qg)：18nC（典型值）
總功耗(Ptot)：140W
工作溫度范圍(Tj)：-55℃至+175℃
FQD13N10LTM 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可以顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高速開關(guān)性能，具備較低的柵極電荷和輸出電荷，適合高頻應(yīng)用。
3. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
5. 封裝緊湊，便于 PCB 設(shè)計(jì)和裝配。
6. 提供優(yōu)異的雪崩能力和魯棒性，確保在惡劣條件下的可靠運(yùn)行。
FQD13N10LTM 可以應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 各種類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括步進(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電機(jī)。
3. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路中的快速切換元件。
4. 太陽(yáng)能逆變器和 LED 照明驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率級(jí)模塊。
FQP13N10, IRFZ44N, STP13NK06Z
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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