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FQD13N10LTF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 8:48:50 查看 閱讀�5

FQD13N10LTF是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。其額定電壓�100V,適用于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�,包括但不限于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等。該型號(hào)的優(yōu)化設(shè)�(jì)使其在高頻開�(guān)條件下表�(xiàn)出色,同�(shí)降低了功率損耗�
  該MOSFET具備出色的熱�(wěn)定性和電氣性能,適合對(duì)效率和可靠性要求較高的�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�13A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�80mΩ
  柵極電荷�27nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=34ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

FQD13N10LTF的核心特性在于其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,這顯著降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提升了整體效率�
  該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),確保了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定�。此外,其高雪崩能量能力和魯棒性使得它能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  MOSFET的柵極閾值電壓經(jīng)過優(yōu)�,既保證了可靠的�(qū)�(dòng),又減少了不必要的功�。其電氣參數(shù)�(jīng)過嚴(yán)格篩選,確保�(chǎn)品的一致性和可靠��
  由于其寬廣的工作溫度范圍,該器件非常適合于高溫環(huán)境下的應(yīng)�,例如工�(yè)�(shè)備或汽車電子系統(tǒng)�

�(yīng)�

FQD13N10LTF廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)元件
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的繼電器替代方案
  6. 汽車電子中的啟動(dòng)與保�(hù)電路
  其高電流承載能力和快速開�(guān)特性使它成為上述應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP13NF06L
  FQP13N10
  AO3400

fqd13n10ltf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqd13n10ltf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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fqd13n10ltf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)