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FQD13N06TM 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 11:45:19 查看 閱讀�22

FQD13N06TM是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于開關(guān)和功率管理領(lǐng)�。該器件具有低導通電阻、快速開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,適合于多種高頻和高效率的電路設(shè)�。其額定電壓�60V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備良好的電流處理能力�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�13A
  導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�169W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

FQD13N06TM具有較低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高整體效率�
  該器件支持高速開�(guān)操作,適用于高頻應用�(huán)��
  它具備強大的雪崩能量能力,可以有效保護電路免受異常瞬�(tài)電壓的影��
  FQD13N06TM采用了優(yōu)化的芯片�(shè)計,確保了在高溫條件下的可靠性和�(wěn)定��
  其緊湊的封裝形式便于安裝和散熱管�,非常適合空間受限的�(shè)計需求�

應用

FQD13N06TM廣泛用于直流-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率切換的電子�(shè)備中�
  它也適用于負載開�(guān)、電池保護和汽車電子等場�,因其高可靠性和耐久性而備受青��
  此外,該器件還被用作功率放大器中的開�(guān)元件,以實現(xiàn)音頻信號的高效傳輸和控制�
  在工�(yè)自動化領(lǐng)�,這款MOSFET可用于電磁閥�(qū)動和燈光控制系統(tǒng)�
  憑借其�(yōu)越的性能指標,F(xiàn)QD13N06TM成為了許多高性能電子�(chǎn)品設(shè)計的理想選擇�

替代型號

IRFZ44N
  STP13NF06L
  FDP13N6
  IXFN13N60T
  BUK458-60E

fqd13n06tm推薦供應� 更多>

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fqd13n06tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫歐 @ 5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds310pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)