FQD13N06TM是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于開關(guān)和功率管理領(lǐng)�。該器件具有低導通電阻、快速開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,適合于多種高頻和高效率的電路設(shè)�。其額定電壓�60V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備良好的電流處理能力�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�13A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�169W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
FQD13N06TM具有較低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高整體效率�
該器件支持高速開�(guān)操作,適用于高頻應用�(huán)��
它具備強大的雪崩能量能力,可以有效保護電路免受異常瞬�(tài)電壓的影��
FQD13N06TM采用了優(yōu)化的芯片�(shè)計,確保了在高溫條件下的可靠性和�(wěn)定��
其緊湊的封裝形式便于安裝和散熱管�,非常適合空間受限的�(shè)計需求�
FQD13N06TM廣泛用于直流-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率切換的電子�(shè)備中�
它也適用于負載開�(guān)、電池保護和汽車電子等場�,因其高可靠性和耐久性而備受青��
此外,該器件還被用作功率放大器中的開�(guān)元件,以實現(xiàn)音頻信號的高效傳輸和控制�
在工�(yè)自動化領(lǐng)�,這款MOSFET可用于電磁閥�(qū)動和燈光控制系統(tǒng)�
憑借其�(yōu)越的性能指標,F(xiàn)QD13N06TM成為了許多高性能電子�(chǎn)品設(shè)計的理想選擇�
IRFZ44N
STP13NF06L
FDP13N6
IXFN13N60T
BUK458-60E