FQD12N20是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特��
其電壓等級為200V,適合高壓應(yīng)用場�,并且能夠在高頻條件下保持較高的效率�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):150mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�38nC
輸入電容�1240pF
總耗散功率�160W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
FQD12N20具備以下主要特性:
1. 低導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損耗�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
4. 緊湊的封裝設(shè)�,方便布局和散熱管��
5. 寬溫度范圍操�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
6. 符合RoHS�(biāo)�,環(huán)保無鉛材料�
這款MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流和主開�(guān)�
3. 電機控制與驅(qū)動電��
4. UPS(不間斷電源)系�(tǒng)�
5. 電池充電及保護電��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和功率管理�
IRF840,
FQP12N20,
STP12NK06Z