FQB9N25C 是一� N 溝道功率 MOSFET,屬� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)的 FQ 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)�。它采用 TO-220 封裝形式,便于散熱和安裝�
� MOSFET 的額定電壓為 250V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)其最大導(dǎo)通電阻較�,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。FQB9N25C 的柵極驅(qū)�(dòng)電壓范圍較寬,可兼容傳統(tǒng)� TTL � CMOS 邏輯電平,使其在各種電路�(shè)�(jì)中具有良好的適用性�
最大漏源電壓:250V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:1.4Ω
柵極電荷�17nC
總電容:380pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-220
FQB9N25C 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓為 250V,適合需要較高電壓耐受的應(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 1.4Ω,在大電流條件下能有效減少功耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:低柵極電荷�17nC)和總電容(380pF�,有助于�(shí)�(xiàn)高效的高頻開(kāi)�(guān)操作�
4. 寬驅(qū)�(dòng)電壓范圍:支持低� 10V 的柵極驅(qū)�(dòng)電壓,兼容多種控制信�(hào)�
5. 高可靠性:通過(guò)了嚴(yán)格的�(cè)試和�(rèn)證流�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 散熱性能�(yōu)越:TO-220 封裝提供良好的熱傳導(dǎo)路徑,適合功率應(yīng)用�
FQB9N25C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流管使��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于降壓、升壓或升降壓轉(zhuǎn)換電��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的啟停與速度�(diào)節(jié)�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān):保�(hù)下游電路免受�(guò)流或短路的影��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電路徑的切換與保�(hù)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如繼電器�(qū)�(dòng)、電磁閥控制��
FQP50N06L, IRF540N, STP9NK50Z