FQB8N60C是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用TO-252封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(chǎng)��
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�8A
柵極閾值電壓:4V~6V
�(dǎo)通電阻:1.7Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗:1.3W
工作溫度范圍�-55℃~150�
FQB8N60C是一種高壓MOSFET,具備以下特�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,適�600V以上的應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損��
3. 快速開�(guān)特性,適用于高頻開�(guān)電路�
4. 采用小型化表面貼裝TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合高溫環(huán)境下的長(zhǎng)期運(yùn)��
6. �(nèi)置雪崩保�(hù)功能,提高器件在�(guò)載條件下的耐用��
FQB8N60C常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 逆變器和UPS系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理部分�
6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和電機(jī)控制�
其高電壓和大電流處理能力使其成為許多中高功率�(yīng)用的理想選擇�
FQP8N60C, IRF840, STP8NB60