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FQB8N60 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 15:32:02 查看 閱讀�18

FQB8N60是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等功率電子設備�。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特�,能夠有效提高系�(tǒng)效率并降低功��
  FQB8N60采用TO-220封裝形式,適用于大電流和高電壓場景下的開關及調節(jié)應用�

參數(shù)

型號:FQB8N60
  類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-220
  最大漏源電�(VDS)�600V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  最大漏極電�(ID)�8A
  導通電�(RDS(on))�1.4Ω
  總功�(PD)�115W
  工作溫度范圍(TJ)�-55� to +150�

特�

FQB8N60具備以下顯著特點�
  1. 高擊穿電�(600V),適合高壓應用場��
  2. 極低的導通電�(1.4Ω),有助于減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開關性能,支持高頻操作;
  4. 熱穩(wěn)定性強,可在寬溫范圍內可靠工作(-55℃至+150�)�
  5. 良好的電氣隔離性能,確保電路安全運��
  6. TO-220封裝易于散熱設計,適用于功率密集型應��

應用

FQB8N60主要用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件�
  2. 電機驅動電路中的功率控制�
  3. 逆變器和轉換器中的高頻開��
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
  6. LED驅動電路中的功率調節(jié)�
  其高壓和大電流特性使其成為多種功率電子設備的理想選擇�

替代型號

FQP8N60
  IRF820
  STP8NB60Z

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