FQB8N60是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等功率電子設備�。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特�,能夠有效提高系�(tǒng)效率并降低功��
FQB8N60采用TO-220封裝形式,適用于大電流和高電壓場景下的開關及調節(jié)應用�
型號:FQB8N60
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-220
最大漏源電�(VDS)�600V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大漏極電�(ID)�8A
導通電�(RDS(on))�1.4Ω
總功�(PD)�115W
工作溫度范圍(TJ)�-55� to +150�
FQB8N60具備以下顯著特點�
1. 高擊穿電�(600V),適合高壓應用場��
2. 極低的導通電�(1.4Ω),有助于減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能,支持高頻操作;
4. 熱穩(wěn)定性強,可在寬溫范圍內可靠工作(-55℃至+150�)�
5. 良好的電氣隔離性能,確保電路安全運��
6. TO-220封裝易于散熱設計,適用于功率密集型應��
FQB8N60主要用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件�
2. 電機驅動電路中的功率控制�
3. 逆變器和轉換器中的高頻開��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
6. LED驅動電路中的功率調節(jié)�
其高壓和大電流特性使其成為多種功率電子設備的理想選擇�
FQP8N60
IRF820
STP8NB60Z