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FQB7N10 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 17:58:38 查看 閱讀�20

FQB7N10是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)和功率管理應(yīng)用中,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點。該器件適合在高頻和高效率的電源�(zhuǎn)換電路中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�7A
  �(dǎo)通電阻:95mΩ
  柵極電荷�28nC
  總電容:420pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

FQB7N10采用了先進的制造工藝,確保了其具備較低的導(dǎo)通電�,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該MOSFET還擁有出色的開關(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場景的需求�
  此外,它的高雪崩能量能力提高了整體的可靠�,使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運行�
  FQB7N10的設(shè)計使得其可以承受較大的電�,并且具有較高的耐壓能力,非常適合應(yīng)用于各種電源管理和控制電路中�

�(yīng)�

FQB7N10廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、逆變器以及各類電源適配器�
  由于其優(yōu)良的電氣特性和熱穩(wěn)定�,該MOSFET特別適合于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備中�
  同時,它也可以用作電池保護電路中的關(guān)鍵元�,以防止過充或過放對電池造成損害�
  另外,在汽車電子系統(tǒng)�,如啟動馬達控制、LED照明�(qū)動等方面也有廣泛�(yīng)��

替代型號

IRFZ44N
  STP75NF06
  FDP5500
  IXYS2N60G

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