FQB6N80TM是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等高電壓應(yīng)用領(lǐng)�。其耐壓能力高達(dá)800V,同�(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
FQB6N80TM采用TO-247封裝形式,能夠提供良好的散熱性能,并且在高頻工作條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�5.8A
�(dǎo)通電阻:1.3Ω
柵極電荷�30nC
輸入電容�980pF
總功耗:140W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQB6N80TM具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:該器件可承受高達(dá)800V的漏源電�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型的工作條件下,�(dǎo)通電阻僅�1.3Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:其低柵極電荷設(shè)�(jì)確保了快速的開關(guān)速度,從而減少開�(guān)損��
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的制造工藝控�,F(xiàn)QB6N80TM能夠在惡劣環(huán)境下長期�(wěn)定運(yùn)��
5. �(yōu)異的熱性能:得益于TO-247封裝形式,器件具有較大的散熱面積,能有效散發(fā)熱量�
FQB6N80TM適用于多種電力電子設(shè)備:
1. 開關(guān)電源:用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電路中,作為主開關(guān)管實(shí)�(xiàn)高效的能量傳��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,可用于控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
3. 逆變器:在太陽能�(fā)電系�(tǒng)或其他交流電源生成場(chǎng)景中,作為功率級(jí)元件完成直流到交流的�(zhuǎn)��
4. PFC電路:用于功率因�(shù)校正,提升用電設(shè)備對(duì)電網(wǎng)的適�(yīng)��
5. 電磁閥驅(qū)�(dòng):在汽車電子或家電產(chǎn)品中,驅(qū)�(dòng)電磁閥�(jìn)行開閉控制�
FQP13N80,
STP80NF10,
IRF840