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FQB6N80TM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:37:11 查看 閱讀�19

FQB6N80TM是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等高電壓應(yīng)用領(lǐng)�。其耐壓能力高達(dá)800V,同�(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
  FQB6N80TM采用TO-247封裝形式,能夠提供良好的散熱性能,并且在高頻工作條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  連續(xù)漏極電流�5.8A
  �(dǎo)通電阻:1.3Ω
  柵極電荷�30nC
  輸入電容�980pF
  總功耗:140W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQB6N80TM具備以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:該器件可承受高達(dá)800V的漏源電�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型的工作條件下,�(dǎo)通電阻僅�1.3Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:其低柵極電荷設(shè)�(jì)確保了快速的開關(guān)速度,從而減少開�(guān)損��
  4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的制造工藝控�,F(xiàn)QB6N80TM能夠在惡劣環(huán)境下長期�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(yōu)異的熱性能:得益于TO-247封裝形式,器件具有較大的散熱面積,能有效散發(fā)熱量�

�(yīng)�

FQB6N80TM適用于多種電力電子設(shè)備:
  1. 開關(guān)電源:用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電路中,作為主開關(guān)管實(shí)�(xiàn)高效的能量傳��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,可用于控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
  3. 逆變器:在太陽能�(fā)電系�(tǒng)或其他交流電源生成場(chǎng)景中,作為功率級(jí)元件完成直流到交流的�(zhuǎn)��
  4. PFC電路:用于功率因�(shù)校正,提升用電設(shè)備對(duì)電網(wǎng)的適�(yīng)��
  5. 電磁閥驅(qū)�(dòng):在汽車電子或家電產(chǎn)品中,驅(qū)�(dòng)電磁閥�(jìn)行開閉控制�

替代型號(hào)

FQP13N80,
  STP80NF10,
  IRF840

fqb6n80tm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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  • 型號(hào)
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fqb6n80tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.95 歐姆 @ 2.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.13W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQB6N80TM-NDFQB6N80TMTR