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FQB6N60 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:06:05 查看 閱讀�22

FQB6N60是一款N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場景。該器件采用TO-252表面貼裝封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  其額定電壓為600V,能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定工�,同�(shí)具備出色的電流處理能�,適合多種工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  �(dǎo)通電阻:3.6Ω
  柵極電荷�17nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝類型:TO-252

特�

FQB6N60的導(dǎo)通電阻較�,有助于減少�(dǎo)通損耗,從而提高整體效�。其快速開�(guān)特性使得該器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)其高耐壓能力確保了在�(fù)雜電氣環(huán)境下的可靠��
  此外,F(xiàn)QB6N60具有較低的柵極電�,這可以減少驅(qū)�(dòng)損耗,并且其緊湊的TO-252封裝形式非常適合需要節(jié)省空間的�(shè)�(jì)方案�
  FQB6N60還具有良好的熱穩(wěn)定�,在長時(shí)間運(yùn)行或高溫條件下仍能保持穩(wěn)定的性能輸出。這種MOSFET通常被用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,如適配器、充電器以及LED照明等領(lǐng)��

�(yīng)�

FQB6N60主要�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器、電�(jī)控制以及其他功率管理電路�
  在這些�(yīng)用中,它作為開關(guān)元件�(fù)�(zé)對負(fù)載�(jìn)行高效的電流和電壓調(diào)節(jié)。例如,在電池充電器�,F(xiàn)QB6N60可用于控制充電電�;在LED�(qū)�(dòng)電路中,它可以實(shí)�(xiàn)恒流輸出以確保LED亮度的一致��
  另外,由于其高耐壓特性和低損耗特�(diǎn),該器件也常用于汽車電子系統(tǒng)中的各種功率控制模塊�

替代型號

FQP13N60, IRF640

fqb6n60推薦供應(yīng)� 更多>

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