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FQB6N25 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 0:30:54 查看 閱讀�15

FQB6N25是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于需要高效能和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
  該器件采用TO-220封裝形式,便于散熱和安裝,適合功率轉(zhuǎn)換電路中的各種應(yīng)用需求�

參數(shù)

最大漏源電�(VDS)�250V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  最大漏極電�(ID)�6A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�0.35Ω(在VGS=10V�(shí)�
  功�(PD)�140W
  �(jié)溫范�(TJ)�-55℃至+150�

特�

FQB6N25具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高耐壓能力:其最大漏源電壓為250V,能夠承受較高的反向電壓,非常適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在VGS=10V�(shí),RDS(on)僅為0.35Ω,有助于降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較低的輸入電容和輸出電荷,確保了更快的�(kāi)�(guān)速度�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在-55℃至+150℃的寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  5. 小尺寸封裝:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于集成到各種�(shè)�(jì)�,并提供良好的散熱性能�

�(yīng)�

FQB6N25適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于高效DC-DC�(zhuǎn)換器和AC-DC適配��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于小型直流電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)控制�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān):作為負(fù)載開(kāi)�(guān)使用,實(shí)�(xiàn)快速開(kāi)啟和�(guān)閉功��
  4. 電池保護(hù)電路:用于防止過(guò)�、過(guò)放或短路情況�
  5. 繼電器替代:利用其快速開(kāi)�(guān)特�,可取代傳統(tǒng)�(jī)械繼電器以提高可靠性和壽命�

替代型號(hào)

IRF640N
  FQP50N06
  STP60NF06

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