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FQB630TM 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 17:13:38 查看 閱讀�27

FQB630TM 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-220 封裝形式。該器件適用于多種功率轉換和開關應用場合,例� DC-DC 轉換�、電機驅�、負載開關等。它具有較低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,F(xiàn)QB630TM 的高雪崩能力使其在嚴苛的工作條件下也能保持穩(wěn)定性能�
  該器件的漏源電壓 Vds 額定值為 600V,這使得它非常適合用于高壓�(huán)境下的應��

參數(shù)

最大漏源電� Vds�600V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流 Id�5A
  導通電� Rds(on)�1.8Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
  總功� Ptot�115W
  結溫范圍 Tj�-55� � +175�
  封裝形式:TO-220

特�

FQB630TM 的主要特性包括:
  1. 高額定漏源電� (600V),適合高壓應用環(huán)��
  2. 較低的導通電� (1.8Ω 典型�),從而降低導通損��
  3. 快速開關速度,有助于提高工作效率和降低開關損耗�
  4. 強大的雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的可靠性�
  5. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的溫度范圍內工作�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

應用

FQB630TM 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 電機控制與驅動電��
  3. 負載開關和保護電��
  4. 電磁閥和繼電器驅��
  5. 太陽能逆變器中的功率管理模��
  6. 工業(yè)設備和家用電器中的高壓開關應用�

替代型號

FQP50N06L, IRF540N

fqb630tm推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqb630tm�(chǎn)�

fqb630tm參數(shù)

  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.13W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商設備封�D²PAK
  • 包裝帶卷 (TR)