FQB630TM 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-220 封裝形式。該器件適用于多種功率轉換和開關應用場合,例� DC-DC 轉換�、電機驅�、負載開關等。它具有較低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,F(xiàn)QB630TM 的高雪崩能力使其在嚴苛的工作條件下也能保持穩(wěn)定性能�
該器件的漏源電壓 Vds 額定值為 600V,這使得它非常適合用于高壓�(huán)境下的應��
最大漏源電� Vds�600V
最大柵源電� Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流 Id�5A
導通電� Rds(on)�1.8Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
總功� Ptot�115W
結溫范圍 Tj�-55� � +175�
封裝形式:TO-220
FQB630TM 的主要特性包括:
1. 高額定漏源電� (600V),適合高壓應用環(huán)��
2. 較低的導通電� (1.8Ω 典型�),從而降低導通損��
3. 快速開關速度,有助于提高工作效率和降低開關損耗�
4. 強大的雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的可靠性�
5. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的溫度范圍內工作�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
FQB630TM 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 電機控制與驅動電��
3. 負載開關和保護電��
4. 電磁閥和繼電器驅��
5. 太陽能逆變器中的功率管理模��
6. 工業(yè)設備和家用電器中的高壓開關應用�
FQP50N06L, IRF540N