FQB5N40是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率開關的場合。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,能夠在高頻應用中提供出色的性能�
最大漏源電壓:400V
連續(xù)漏極電流�5A
柵極閾值電壓:2V~4V
導通電阻(典型值)�1.2Ω
功耗:125W
工作結溫范圍�-55℃~150�
FQB5N40的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�400V的漏源電��
2. 低導通電阻設計,有助于減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開關速度,適合高頻應��
4. 具有良好的熱�(wěn)定性和可靠��
5. 柵極電荷較小,便于驅動電路設計�
6. TO-220封裝形式,易于安裝和散熱管理�
FQB5N40適用于以下應用場景:
1. 開關電源中的功率開關�
2. DC-DC轉換器中的同步整流或主開關�
3. 電機驅動電路中的功率控制�
4. 各種負載開關和保護電路�
5. 逆變器和不間斷電源系�(tǒng)中的關鍵元件�
6. 負載切換和電磁閥驅動等工�(yè)控制領域�
IRF540N
STP5NK50Z
FQP50N06L