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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FQB4N80TM

FQB4N80TM 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 9:33:18 查看 閱讀�20

FQB4N80TM 是一� N 沫極型功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC 轉換器等領域。該器件采用 TO-252 封裝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合高頻應用場��
  這款 MOSFET 的主要特點是高效率和可靠性,能夠承受較大的電流負�,并且具備良好的熱性能�

參數

最大漏源電壓:800V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  導通電阻:1.6Ω
  柵極電荷�35nC
  總功耗:2.2W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FQB4N80TM 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:最大漏源電壓為 800V,適用于高壓�(huán)��
  2. 低導通電阻:在典型條件下,導通電阻僅� 1.6Ω,有助于降低傳導損��
  3. 快速開關性能:較小的柵極電荷�35nC)使其具有快速的開關速度,適合高頻應��
  4. 熱穩(wěn)定性強:采� TO-252 封裝設計,散熱性能�(yōu)越�
  5. 安全工作區(qū)域寬廣:能夠在較寬的工作溫度范圍內穩(wěn)定運�,適應惡劣的工作條件�

應用

FQB4N80TM 可用于多種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC 轉換電路中作為開關元��
  2. 電機驅動:控制直流電機或步進電機的速度和方��
  3. 逆變器:在光伏逆變器和其他類型的逆變器中提供高效的功率轉��
  4. LED 驅動:用于大功率 LED 照明系統(tǒng)中的恒流控制�
  5. 工業(yè)自動化:在工�(yè)控制系統(tǒng)中實現功率調節(jié)和信號隔雀�

替代型號

FQB4N80T, FQB4N80TMH, IRF840

fqb4n80tm推薦供應� 更多>

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fqb4n80tm參數

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.6 歐姆 @ 1.95A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds880pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.13W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�TO-263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQB4N80TM-NDFQB4N80TMTR