FQB4N80TM 是一� N 沫極型功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC 轉換器等領域。該器件采用 TO-252 封裝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合高頻應用場��
這款 MOSFET 的主要特點是高效率和可靠性,能夠承受較大的電流負�,并且具備良好的熱性能�
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�4.3A
導通電阻:1.6Ω
柵極電荷�35nC
總功耗:2.2W
工作溫度范圍�-55� � +150�
FQB4N80TM 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓為 800V,適用于高壓�(huán)��
2. 低導通電阻:在典型條件下,導通電阻僅� 1.6Ω,有助于降低傳導損��
3. 快速開關性能:較小的柵極電荷�35nC)使其具有快速的開關速度,適合高頻應��
4. 熱穩(wěn)定性強:采� TO-252 封裝設計,散熱性能�(yōu)越�
5. 安全工作區(qū)域寬廣:能夠在較寬的工作溫度范圍內穩(wěn)定運�,適應惡劣的工作條件�
FQB4N80TM 可用于多種電力電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC 轉換電路中作為開關元��
2. 電機驅動:控制直流電機或步進電機的速度和方��
3. 逆變器:在光伏逆變器和其他類型的逆變器中提供高效的功率轉��
4. LED 驅動:用于大功率 LED 照明系統(tǒng)中的恒流控制�
5. 工業(yè)自動化:在工�(yè)控制系統(tǒng)中實現功率調節(jié)和信號隔雀�
FQB4N80T, FQB4N80TMH, IRF840