FQB3N90是一種高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能和高耐壓的場(chǎng)景中�
該器件采用TO-252封裝形式,具備低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的需��
最大漏源電壓:900V
連續(xù)漏極電流�1.6A
�(dǎo)通電阻:7.5Ω
柵極閾值電壓:3V~4V
功耗:2W
工作溫度范圍�-55℃~175�
FQB3N90的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓(900V�,使其適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,保證了高頻�(yīng)用中的性能表現(xiàn)�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,增強(qiáng)了系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)極端溫度條件下的�(yùn)行需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
FQB3N90適用于以下場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)及AC-DC適配器�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
3. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
4. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高壓開(kāi)�(guān)組件�
6. 其他要求高電�、低功耗的電力電子系統(tǒng)�
IRF840, K1105G, STP16NF90