FQB3N25 時(shí)間：2025/5/22 1:15:28 閱讀：10

FQB3N25是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的功率MOSFET技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，適合在高頻應(yīng)用中使用。
　　這款MOSFET的主要特點(diǎn)是其出色的性能和可靠性，能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)提供穩(wěn)定的輸出。此外，F(xiàn)QB3N25還具有良好的熱特性和抗浪涌能力，能夠適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。

參數(shù)

型號：FQB3N25
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：25V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：16A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：8mΩ
　　總功耗(Ptot)：175W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ to +175℃
　　封裝形式：TO-220

特性

FQB3N25具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。它的最大漏源電壓為25V，可以滿足大多數(shù)低壓應(yīng)用場景的需求。
　　此外，該器件的最大柵源電壓為±20V，確保了其在不同驅(qū)動(dòng)條件下的穩(wěn)定性。連續(xù)漏極電流可達(dá)16A，使其適用于大電流負(fù)載。
　　FQB3N25采用TO-220封裝，這種封裝形式不僅便于散熱，而且易于安裝和維護(hù)。同時(shí)，其工作結(jié)溫范圍從-55℃到+175℃，保證了在極端溫度條件下的可靠運(yùn)行。

應(yīng)用

FQB3N25主要應(yīng)用于各種需要高效功率切換的場合，例如開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級、電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的H橋電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流等。
　　此外，它還可以用于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。由于其出色的性能和可靠性，F(xiàn)QB3N25成為許多設(shè)計(jì)工程師在選擇功率MOSFET時(shí)的首選之一。