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FQB27P06TM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/10/9 13:55:28 查看 閱讀�1041

    ON Semiconductor Si P溝道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝

    增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET� Fairchild Semiconductor

    增強(qiáng)模式場效�(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度� DMOS 技�(shù)�(jìn)行生�(chǎn)� 這種密度非常高的工藝�(shè)�(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切��


概述

    ON Semiconductor Si P溝道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝

    增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET� Fairchild Semiconductor

    增強(qiáng)模式場效�(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度� DMOS 技�(shù)�(jìn)行生�(chǎn)� 這種密度非常高的工藝�(shè)�(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切��


參數(shù)

    針腳�(shù)�

    漏源極電阻:0.055 Ω

    耗散功率�3.75 W

    閾值電壓:4 V

    輸入電容�1100 pF

    漏源極電�(Vds)�60 V

    上升�(shí)間:185 ns

    輸入電容(Ciss)�1100pF @25V(Vds)

    額定功率(Max)�3.75 W

    下降�(shí)間:90 ns

    工作溫度(Max)�175 �

    工作溫度(Min)�-55 �

    耗散功率(Max)�3750 mW

    安裝方式:Surface Mount

    引腳�(shù)�

    封裝:TO-263-3

    長度�10.67 mm

    寬度�9.65 mm

    高度�4.83 mm


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fqb27p06tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C27A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 13.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.75W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D²PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQB27P06TM-ND