ON Semiconductor Si P溝道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET� Fairchild Semiconductor
增強(qiáng)模式場效�(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度� DMOS 技�(shù)�(jìn)行生�(chǎn)� 這種密度非常高的工藝�(shè)�(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切��
ON Semiconductor Si P溝道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET� Fairchild Semiconductor
增強(qiáng)模式場效�(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度� DMOS 技�(shù)�(jìn)行生�(chǎn)� 這種密度非常高的工藝�(shè)�(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切��
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.055 Ω
耗散功率�3.75 W
閾值電壓:4 V
輸入電容�1100 pF
漏源極電�(Vds)�60 V
上升�(shí)間:185 ns
輸入電容(Ciss)�1100pF @25V(Vds)
額定功率(Max)�3.75 W
下降�(shí)間:90 ns
工作溫度(Max)�175 �
工作溫度(Min)�-55 �
耗散功率(Max)�3750 mW
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:TO-263-3
長度�10.67 mm
寬度�9.65 mm
高度�4.83 mm