FQB1P50TM是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的電流處理能力,廣泛適用于各種電源管理應用。它特別適合于需要高效能和高可靠性的場合,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等應用�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻(典型值)�47mΩ
柵極電荷�6nC
輸入電容�350pF
工作結溫范圍�-55℃至+150�
1. 低導通電阻設計降低了功率損�,提高了整體效率�
2. 高速開關性能使得該MOSFET在高頻應用中表現(xiàn)出色�
3. 具有較高的雪崩擊穿能�,提升了器件的耐用性和可靠��
4. 封裝形式緊湊,有助于簡化PCB布局并減少空間占��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性確保其在寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運行�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開��
3. 消費類電子產(chǎn)品的負載開關�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
5. 各種電機�(qū)動和控制應用�
6. 電信設備中的功率管理模塊�
FQP50N06L, IRF540N, AO3400