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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQB1P50TM

FQB1P50TM 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 11:06:34 查看 閱讀�19

FQB1P50TM是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的電流處理能力,廣泛適用于各種電源管理應用。它特別適合于需要高效能和高可靠性的場合,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等應用�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�3.9A
  導通電阻(典型值)�47mΩ
  柵極電荷�6nC
  輸入電容�350pF
  工作結溫范圍�-55℃至+150�

特�

1. 低導通電阻設計降低了功率損�,提高了整體效率�
  2. 高速開關性能使得該MOSFET在高頻應用中表現(xiàn)出色�
  3. 具有較高的雪崩擊穿能�,提升了器件的耐用性和可靠��
  4. 封裝形式緊湊,有助于簡化PCB布局并減少空間占��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
  6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性確保其在寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運行�

應用

1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開��
  3. 消費類電子產(chǎn)品的負載開關�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
  5. 各種電機�(qū)動和控制應用�
  6. 電信設備中的功率管理模塊�

替代型號

FQP50N06L, IRF540N, AO3400

fqb1p50tm推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqb1p50tm資料 更多>

  • 型號
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fqb1p50tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 歐姆 @ 750mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.13W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�TO-263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQB1P50TM-NDFQB1P50TMTR