FQB19N20C是一款N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和電源管理場景。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中�
這款MOSFET的耐壓�200V,使其非常適合高壓環(huán)境下的應(yīng)�。其封裝形式通常為TO-220或DPAK,便于散熱設(shè)計和PCB布局�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):250mΩ(典型值,Vgs=10V時)
柵極電荷�36nC(典型值)
開關(guān)頻率:支持高�(dá)500kHz
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 低導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
3. 快速開�(guān)特�,降低了開關(guān)損��
4. 具有出色的熱�(wěn)定性,能夠適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
5. 小型化封裝選�,簡化了電路板空間需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及升�/降壓模塊�
3. 電機(jī)�(qū)動與控制電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管��
5. LED照明�(qū)動電路�
6. 電池充電保護(hù)電路�
FQP19N20C, IRF540N, STP19NF20