FQB13N10是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率管理應(yīng)�。它采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高效率的特�。該器件廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.015Ω
柵極電荷�47nC
輸入電容�1680pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
FQB13N10具有較低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率�
其快速的開關(guān)速度有助于減少開�(guān)損�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
該器件還具備較高的雪崩耐量能力,增強了其在異常情況下的可靠��
FQB13N10的緊湊封裝設(shè)計使其非常適合空間受限的�(yīng)用場景�
FQB13N10適用于多種應(yīng)用場�,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動、負載開�(guān)、電池保護電路以及LED�(qū)動等�
在消費類電子�(chǎn)品中,它可以用于筆記本電腦適配器、平板充電器和家用電器中的功率管��
此外,在工業(yè)�(lǐng)�,F(xiàn)QB13N10可用于工廠自動化�(shè)�、機器人控制系統(tǒng)及各種電力電子系�(tǒng)�
IRFZ44N
STP12NK60Z
FQP13N10