FQB13N06L是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用邏輯電平驅動設�,適用于低電壓應用場合。該器件具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關特�,能夠顯著提高效率并降低功耗。其額定漏源極電壓為60V,連續(xù)漏極電流可達13A,適合用于各類開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及其他功率管理應��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�13A
導通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極閾值電壓:1.2V~2.2V
輸入電容�790pF
總功耗:85W
結溫范圍�-55℃~175�
封裝形式:TO-220
FQB13N06L具有非常低的導通電�,在不同柵源電壓下表�(xiàn)�(yōu)異。例�,在Vgs=4.5V�,其Rds(on)�70mΩ;而在Vgs=10V�,Rds(on)僅為45mΩ。這使得該器件在電池供電設備中表現(xiàn)出色,因為即使在較低的驅動電壓下也能保持高效運行�
此外,該MOSFET具備較高的雪崩能量能力和熱穩(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作??焖匍_關速度減少了開關損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
FQB13N06L還具有超低的柵極電荷和輸出電荷,有助于進一步優(yōu)化動�(tài)性能�
FQB13N06L廣泛應用于多種功率電子領�,包括但不限于以下場景:
- 開關模式電源(SMPS�
- DC-DC轉換�
- 汽車電子系統(tǒng)
- 工業(yè)控制
- 電機驅動
- 筆記本電腦及平板充電�
- LED照明驅動電路
由于其低導通電阻和邏輯電平驅動能力,該器件非常適合于便攜式電子�(chǎn)品以及需要高效功率管理的應用�(huán)境�
IRFZ44N
STP13NF06L
AO3400