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FQB13N06L 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 0:42:34 查看 閱讀�15

FQB13N06L是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用邏輯電平驅動設�,適用于低電壓應用場合。該器件具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關特�,能夠顯著提高效率并降低功耗。其額定漏源極電壓為60V,連續(xù)漏極電流可達13A,適合用于各類開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及其他功率管理應��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�13A
  導通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  柵極閾值電壓:1.2V~2.2V
  輸入電容�790pF
  總功耗:85W
  結溫范圍�-55℃~175�
  封裝形式:TO-220

特�

FQB13N06L具有非常低的導通電�,在不同柵源電壓下表�(xiàn)�(yōu)異。例�,在Vgs=4.5V�,其Rds(on)�70mΩ;而在Vgs=10V�,Rds(on)僅為45mΩ。這使得該器件在電池供電設備中表現(xiàn)出色,因為即使在較低的驅動電壓下也能保持高效運行�
  此外,該MOSFET具備較高的雪崩能量能力和熱穩(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作??焖匍_關速度減少了開關損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  FQB13N06L還具有超低的柵極電荷和輸出電荷,有助于進一步優(yōu)化動�(tài)性能�

應用

FQB13N06L廣泛應用于多種功率電子領�,包括但不限于以下場景:
  - 開關模式電源(SMPS�
  - DC-DC轉換�
  - 汽車電子系統(tǒng)
  - 工業(yè)控制
  - 電機驅動
  - 筆記本電腦及平板充電�
  - LED照明驅動電路
  由于其低導通電阻和邏輯電平驅動能力,該器件非常適合于便攜式電子�(chǎn)品以及需要高效功率管理的應用�(huán)境�

替代型號

IRFZ44N
  STP13NF06L
  AO3400

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