FQB12P20TM-SB82075 是一� N 溝道邏輯增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于低電�、高效率的開�(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)性能�
� MOSFET 主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效能開關(guān)操作的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:20V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�36nC
開關(guān)�(shí)間:ton=10ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場��
3. 小型封裝 (� LFPAK � D2PAK),便于在緊湊�(shè)�(jì)中使用�
4. 高可靠性與耐用�,能夠在�(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 支持多種保護(hù)功能,例如過流保�(hù)、短路保�(hù)�,從而提升系�(tǒng)安全��
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開�(guān)�
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 消費(fèi)電子�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制電��
FQP12N20, IRLZ44N, FDS6670A